Влияние лазерного излучения на работу полевого транзистора с управляющим p-n-переходом

Проведены экспериментальные и теоретические исследования влияния немодулированного лазерного излучения на функционирование полевого транзистора с управляющим p-n-переходом в составе усилительного каскада с общим истоком. Определены закономерности в изменениях параметров транзистора в зависимости от внешнего излучения. Установлено, что при лазерном облучении наибольшие изменения претерпевают напряжение отсечки и удельная крутизна затвора. Обнаружено, что при облучении транзисторной структуры возникает фотовольтаический эффект на p-n-переходе затвора, изменяется концентрация свободных носителей заряда в полупроводниковых областях и сопротивление канала. Показано, что прибор достаточно устойчив к воздействию лазерного излучения, что принципиально важно для создания радиационно-стойких интегральных схем.