English
Kazakh
Português (Brasil)
Русский
简体中文
Mikroèlektronika
ISSN 0544-1269 (Print)
Мәзір     Мұрағат
  • Бастапқы
  • Журнал туралы
    • Редакция тобы
    • Редакция саясаты
    • Авторларға арналған ережелер
    • Журнал туралы
  • Шығарылымдар
    • Іздеу
    • Ағымдағы шығарылым
    • Ретракцияланған мақалалар
    • Мұрағат
  • Байланыс
  • Жазылу
  • Барлық журналдар
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • авторлар
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
  • Категориялар
Ақпарат
  • Оқырмандар үшін
  • Авторларға
  • Кітапханалар үшін
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер Förster effect bipolar transistor diagnostics etching gas temperature ionization kinetics magnetron sputtering mechanism memristor modeling molecular beam epitaxy plasma polymerization powerful LDMOS quantum dot reduced electric field strength resistive switching silicon silicon-on-insulator technology specific power
Ағымдағы шығарылым

Том 54, № 4 (2025)

×
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • авторлар
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
  • Категориялар
Ақпарат
  • Оқырмандар үшін
  • Авторларға
  • Кітапханалар үшін
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер Förster effect bipolar transistor diagnostics etching gas temperature ionization kinetics magnetron sputtering mechanism memristor modeling molecular beam epitaxy plasma polymerization powerful LDMOS quantum dot reduced electric field strength resistive switching silicon silicon-on-insulator technology specific power
Ағымдағы шығарылым

Том 54, № 4 (2025)

Бастапқы > Іздеу > Журнал бөлімдері > TECHNOLOGIES

TECHNOLOGIES

Шығарылым Атауы Файл
Том 52, № 2 (2023) Plasma Parameters and Kinetics of Reactive Ion Etching of SiO2 and Si3N4 in an HBr/Cl2/Ar Mixture PDF
(Rus)
Efremov A., Betelin V., Kwon K.
Том 52, № 2 (2023) Investigation of the Optical Properties of Ultrathin Films Based on Metal Silicide PDF
(Rus)
Kerimov E.
Том 52, № 1 (2023) Параметры газовой фазы и кинетика реактивно-ионного травления SiO2 в плазме CF4/C4F8/Ar/He PDF
(Rus)
Ефремов А., Kwon K.
Нәтижелер 3 - 1/3
 

 

Developed by ECO-VECTOR

 

Powered by EVESYST

TOP