Журнал экспериментальной и теоретической физики

Проведено теоретическое исследование спектра резонансной лазерной флуоресценции на структуре уровней атома водорода при электродинамическом эффекте Штарка, возникающей при пересечении магнитного поля пучком быстрых атомов в плазме. Построена нестационарная модель атомной кинетики заселения массива штарковских атомных состояний при их возбуждении частицами плазмы и лазерным излучением различной интенсивности и поляризации. Исследовано влияние селективного возбуждения штарковской структуры на формирование спектра лазерной флуоресценции в зависимости от параметров лазерного импульса, плотности плазмы, геометрии ввода лазерного пучка по отношению к магнитному полю. Проанализировано подавление сигнала резонансной флуоресценции при увеличении плотности плазмы, вызывающее преобразование динамических неравновесных населенностей в статистически равновесные. Исследовано влияние лазерной флуоресценции на MSE-диагностику. Результаты представляют интерес в контексте пионерского исследования резонансной лазерной флуоресценции на динамически неравновесной штарковской структуре атомных уровней, а также для локальной диагностики плазмы в системе скрещенных пучков нейтралов и лазерного излучения.

Методом магнетронного распыления выращена серия гетероструктур SrMnO₃/La_0.7Sr_0.3MnO₃ с различной толщиной антиферромагнитного слоя SrMnO₃. Методом ферромагнитного резонанса определены магнитные характеристики гетероструктуры SrMnO₃/La_0.7Sr_0.3MnO₃, в том числе величина однонаправленной анизотропии при различной толщине антиферромагнитного слоя SrMnO₃. Представлены результаты рентгеноструктурного исследования полученных образцов и оценено изменение магнитооптического эффекта в ферромагнитной пленке La_0.7Sr_0.3MnO₃ при нанесении антиферромагнитного слоя SrMnO₃. Изучалась структура доменов во внешнем магнитном поле с помощью магнитно-силовой микроскопии. Наблюдались V-образные магнитные доменные структуры в гетероструктурах SrMnO₃/La_0.7Sr_0.3MnO₃, управляемые малыми магнитными полями.

С использованием порошковой рентгеновской дифракции, дифференциальной сканирующей калориметрии и магнитных измерений на квазимонокрысталлах исследованы изменения параметров решетки и температур магнитных фазовых переходов в соединениях La_1–xEr_xMn₂Si₂ (0 ≤ x ≤ 1) со структурой ThCr₂Si₂. Показано, что замещение La на Er приводит к уменьшению объема элементарной ячейки на 13 %. С ростом x происходит переход от ферромагнитного упорядочения к антиферромагнитному. По данным магнитных измерений при x ≥ 0.4 обнаружены признаки магнитного перехода между двумя различными антиферромагнитными фазами. Температурная зависимость восприимчивости подчиняется модифицированному закону Кюри – Вейсса. Установлено, что температура Нееля соединений увеличивается с ростом концентрации Er от 317 K при x = 0.4 до 531 K при x = 1. По полученным данным построена магнитная фазовая диаграмма системы La_1–xEr_xMn₂Si₂.

Исследована проводимость купрата лития LiCu₃O₃ в широкой области частот 1–105 Гц и в направлениях вдоль и перпендикулярно оси симметрии четвертого порядка. В указанной области величина удельного сопротивления не зависит от частоты и составляет ρ = 490 Ом·см вдоль оси, а перпендикулярно ей (вдоль кристаллических слоев) существенно меньше — ρ = 0.4–0.8 Ом·см, что согласуется с анизотропией кристаллической структуры. Отмечено, что емкость границы между контактом и исследуемым материалом аномально велика, что может быть обусловлено емкостью двойного слоя на границе и рассматриваться как аргумент в пользу существования ионной проводимости.

Линейная по концентрации добавка к удельному сопротивлению материала не дает прямого вклада в общее сопротивление мемристора при перераспределении вакансий с сохранением их общего числа. Но сопутствующее локальное изменение удельного сопротивления меняет кинетику дрейфа вакансий под действием приложенного электрического тока. Эти изменения особенно значительны при наличии в материале мемристора фазового перехода металл–изолятор. Получено кинетическое уравнение для локальной концентрации вакансий в таком мемристоре, проанализированы точные решения для его стационарных состояний. Показано, что не только в слабо нелинейном случае, когда зависимостью удельного сопротивления от концентрации вакансий можно пренебречь, но и в сильно нелинейном мемристоре с фазовым переходом его кинетику можно свести к классическому точно решаемому уравнению Бюргерса.