Аномальные температурные зависимости коэффициентов термического расширения и ширины запрещенной зоны монокристаллов AgInSe2

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Из температурных зависимостей параметров кристаллической решетки монокристаллов AgInSe2 определены значения коэффициентов температурного расширения вдоль кристаллографических направлений а и с. Установлено, что значения коэффициентов термического расширения монокристаллов AgInSe2 вдоль направлений а и с меняют свой знак при температурах 142 и 135 K соответственно. Анализ температурной зависимости изменения ширины запрещенной зоны AgInSe2, проведенный по спектрам оптического поглощения, показывает, что ширина запрещенной зоны увеличивается с ростом температуры в области 80–120 К и уменьшается в области 120–300 K.

Об авторах

А. Х. Матиев

Ингушский государственный университет; Грозненский государственный нефтяной технический университет им. М.Д. Миллионщикова

Автор, ответственный за переписку.
Email: matiyev-akhmet@yandex.ru
Россия, 386001, Магас, пр. И. Зязикова, 7; Россия, 364051, Грозный, пр. Х.A. Исаева, 100

Список литературы

  1. Матиев А.Х. Фазовые равновесия и электронно-оптические свойства систем Т1В3С–А1В3С (А–Сu, Ag; В–Iп, Gа; С–S, Se2): Дис. … докт. физ.-мат. наук. Ульяновск: УлГУ, 2005. 399 с.
  2. Matiev A.Kh., Uspazhiev R.T. et al. Phasing Diagrams of TlInSe2–CuInSe2 and TlInSe2–AgInSe2 Systems // Atl. Highlights Mater. Sci. Technol. 2019. V. 1. P. 249–252.
  3. El-Korashy A., Abdel-Rahim M.A., El-Zahed H. Optical Absorption Studies on AgInSe2 and AgInTe2 Films // Thin Solid Films. 1999. V. 338. P. 207–212.
  4. Santhosh M.C., Pradeep B. Formation and Properties of AgInSe2 Thin Films by Co-Evaporation // Vacuum. 2004. V. 72. № 4. P. 369–378.
  5. Mustafa H., Hunter D., Pradhan A.K., Roy A., Cui Y., Burger A. Synthesis Characterization of AgInSe2 for Application in Thin Film Solar Cells // Thin Solid Films. 2007. V. 515. P. 7001–7004.
  6. Абдуллаев М.А., Алхасов А.Б., Магомедова Дж.Х. Получение и свойства каскадного преобразователя солнечной энергии с двумя гетеропереходами CuInSe2/AgInSe2/CdS // Неорган. материалы. 2014. Т. 50. № 3. С. 250–254. https://doi.org/10.7868/S0002337X14030014
  7. Ozaki S., Adachi S. Optical Properties and Electronic Band Structure of AgInSe2 // Phys. Status Solidi A. 2006. V. 203. P. 2919–2923.
  8. Kishigui K., Abe K., Murakami G., Shim Y., Yoshino K., Makita K. Study of Steady-State Photoluminescence of Crystals AgInSe2 // Thin Solid Films. 2008. V. 517. № 4. P. 1445–1448.
  9. Kanellis G., Kampas K. Far-Infrared Reflection Spectra of AgInSe2 and AgInTe2 // Mater. Res. Bull. 1978. V. 13. № 1. P. 9–12.
  10. Ohrendorf F.W., Haussler H. Lattice Dynamics of Chalcopyrite Type Compounds. Part I. Vibrational Frequencies // Cryst. Res. Technol. 1999. V. 34. № 3. P. 339–349.
  11. Поплавной А.С. Зонная структура, динамика решетки и явления переноса в некоторых сложных алмазоподобных полупроводниках: Дис. … докт. физ.-мат. наук. Кемерово: КемГУ, 1982. 540 с.
  12. Ohrendorf F.W., Haeuseler H. Lattice Dynamics of Chalcopyrite Type Compounds. Part II. Calculations in a Short Range Force Field Model // Cryst. Res. Technol. 1999. V. 34. № 3. P. 351–362.
  13. Oshcherin B.N. Debye Temperature and Melting Point of Ternary Chalcopyrite Semiconductor A1B3C B A2B4C // Phys. Status Solidi A. 1976. V. 35. № 1. P. 35–41.
  14. Ощерин Б.Н., Кожина И.И. Прогнозирование коэффициентов термического расширения тройных полупроводников типа AIIBIVC и AIBIIIC. М.: ВИНИТИ, 1985. № 3573–85.
  15. Матиев А.Х., Георгобиани А.Н. Температурная зависимость изменения ширины запрещенной зоны CuInSe2 и AgInSe2 // Тр. VII Междунар. конф. “Оптика, оптоэлектроника и технологии”. Ульяновск: УГУ, 2004. С. 32.
  16. Матиев А.Х., Успажиев Р.Т. Характер температурной зависимости ширины запрещенной зоны в кристаллах AgInSe2 // Матер. Всерос. науч.-практ. конф. с междунар. Участием “Актуальные проблемы естественных наук” (Грозный, 17.10.2020). Махачкала: АЛЕФ, 2020. С. 244-248. ISBN 978-5-00128-539-7
  17. Matiev A., Uspazhiev R. et al. Anomalous Character of Temperature Dependences of Some Parameters AgInSe2 // IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. 2020. V. 905. P. 28–29. https://doi.org/10.1088/1757-899X/905/1/012046
  18. Баррет Ч.С., Массальский Т.Б. Структура металлов. Ч. I. М.: Металлургия, 1984. С. 246–247.
  19. Neumann H. Nonstoichiometry and Electrical Properties of CuGaSe2 and AgInTe2 // Cryst. Res. Technol. 1983. V. 18. № 1. P. k8–k11.
  20. Бьюб Р. Фотопроводность твердых тел. М.: ИЛ, 1962. 534 с.
  21. Long D.L. Energy Bands in Semiconductors. N. Y.: Intrerscience Pablic, 1968. 212 p. ISBN 0470544007, 9780470544006
  22. Фомин Н.В. Аномальная температурная зависимость ширины запрещенной зоны собственных полупроводников // ФТП. 1983. Т. 17. Вып. 3. С. 553–555.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2.

Скачать (82KB)
Метаданные
3.

Скачать (67KB)
Метаданные
4.

Скачать (42KB)
Метаданные

© А.Х. Матиев, 2023