English
Kazakh
Português (Brasil)
Русский
简体中文
Mikroèlektronika
ISSN 0544-1269 (Print)
Мәзір     Мұрағат
  • Бастапқы
  • Журнал туралы
    • Редакция тобы
    • Редакция саясаты
    • Авторларға арналған ережелер
    • Журнал туралы
  • Шығарылымдар
    • Іздеу
    • Ағымдағы шығарылым
    • Ретракцияланған мақалалар
    • Мұрағат
  • Байланыс
  • Жазылу
  • Барлық журналдар
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
  • Категориялар
Ақпарат
  • Оқырмандар үшін
  • Авторларға
  • Кітапханалар үшін
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер Förster effect bipolar transistor diagnostics etching gas temperature ionization kinetics magnetron sputtering mechanism memristor modeling molecular beam epitaxy plasma polymerization powerful LDMOS quantum dot reduced electric field strength resistive switching silicon silicon-on-insulator technology specific power
Ағымдағы шығарылым

Том 54, № 4 (2025)

×
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • Автор бойынша
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
  • Категориялар
Ақпарат
  • Оқырмандар үшін
  • Авторларға
  • Кітапханалар үшін
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер Förster effect bipolar transistor diagnostics etching gas temperature ionization kinetics magnetron sputtering mechanism memristor modeling molecular beam epitaxy plasma polymerization powerful LDMOS quantum dot reduced electric field strength resistive switching silicon silicon-on-insulator technology specific power
Ағымдағы шығарылым

Том 54, № 4 (2025)

Бастапқы > Іздеу > Автор туралы ақпарат

Автор туралы ақпарат

Лукичев, В. Ф.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
Том 53, № 1 (2024) MODELING Modeling of Physical-Chemical and Electronic Properties of Lithium-Containing 4H—SiC and Binary Phases of the Si—C–Li System
Том 53, № 1 (2024) MODELING Modeling of the Electronic Properties of M-Doped Supercells (М = Zr, Nb) with a Monoclinic Structure For Lithium-Ion Batteries
Том 52, № 4 (2023) КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Tomography of Detectors Taking Dead Time into Account
Том 52, № 3 (2023) КВАНТОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Precise Tomography of Qudits
Том 52, № 3 (2023) MODELING Simulation of the Adsorption and Diffusion of Lithium Atoms on Defective Graphene for a Li-Ion Battery
Том 52, № 1 (2023) МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ Simulation of Supercell Defect Structure and Transfer Phenomena in TlInTe2
Том 53, № 6 (2024) MODELING Modeling of Structural Properties and Transport Phenomena in Doped Multicomponent 2D Semiconductors
Том 54, № 2 (2025) DIAGNOSTICS Regularities of X-ray transfer in doped multicomponent semiconductors for dosimetry
 

 

Developed by ECO-VECTOR

 

Powered by EVESYST

TOP